Infineon und Cree schließen Liefervertrag für SiC-Wafer

Siliziumcarbid-Wafer in den Händen einer Person mit weißen Handschuhen. — SiC-Wafer: In den nächsten Jahren werden SiC-Produkte neben Anwendungsgebieten wie Elektromobilität und Photovoltaik verstärkt bei Robotik, Ladeinfrastruktur, industrielle Stromversorgung, Traktionssysteme und drehzahlveränderbare Antriebe eingesetzt werden.

Die Infineon Technologies AG und Cree, Inc. haben einen langfristigen, strategischen Liefervertrag für Siliziumkarbid-(SiC)-Wafer vereinbart.

Infineon will damit sein Angebot von SiC-Produkten weiter ausbauen, um aktuelle Wachstumsmärkte wie Photovoltaik-Wechselrichter oder Elektromobilität zu bedienen. Cree beliefert Infineon mit Siliziumkarbid-Wafern von 150 Millimeter Durchmesser, passend für die modernen SiC-Fertigungslinien von Infineon.
„Wir schätzen Cree seit langer Zeit als starken und zuverlässigen Partner, der einen hervorragenden Ruf in der Branche genießt“, sagte Reinhard Ploss, CEO von Infineon. „Dank der langfristig gesicherten Versorgung mit SiC-Wafern können wir unsere strategischen Wachstumsfelder in der Automobil- und Industrieelektronik weiter stärken. Damit schaffen wir einen zusätzlichen Mehrwert für unsere Kunden.”
Siliziumkarbid (SiC) unterstützt viele Anwendungen
Siliziumkarbid-basierte Halbleiter werden verstärkt in Elektrofahrzeugen eingesetzt. Der Bedarf stieg in den letzten Jahren kontinuierlich an. Verglichen mit siliziumbasierten Leistungshalbleitern lässt sich durch SiC-Bauelemente Energie einsparen. Außerdem ermöglicht die geringere Größe der passiven Komponenten eine höhere Systemdichte. In den nächsten Jahren werden SiC-Produkte neben Anwendungsgebieten wie Elektromobilität und Photovoltaik verstärkt bei Robotik, Ladeinfrastruktur, industrielle Stromversorgung, Traktionssysteme und drehzahlveränderbare Antriebe eingesetzt werden.