Photovoltaik-Produktionstechnik: Meyer Burger erhält Liefervertrag für Beschichtungsanlagen im Wert von 11,5 Millionen Euro

Das HELiA PECVD System ermöglicht die Abscheidung der a-Si-Schichten in einem quasi-kontinuierlichen Prozess
Das HELiA PECVD System ermöglicht die Abscheidung der a-Si-Schichten in einem quasi-kontinuierlichen Prozess

Meyer Burger (Thun, Schweiz) hat einen Vertrag für die Lieferung von Beschichtungsanlagen mit einem Solarzellen-Hersteller in Asien abgeschlossen.

Die Anlagen des Typs HELiA mit disruptiver Zellbeschichtungs-Technologie sind die Kernkomponenten einer Produktionslinie für die Herstellung von Hochleistungs-Heterojunction-Solarzellen (HJT). Der Auftrag habe ein Gesamtvolumen von rund 14 Millionen Schweizer Franken (11,5 Millionen Euro). Die Lieferung sei für das erste Quartal 2014 geplant, berichtet das Unternehmen.

Der Neukunde vertraue für die Produktion von Hochleistungs-Heterojunction-Solarzellen auf die technologisch fortschrittlichen Anlagen und das umfassende Knowhow von Meyer Burger, heißt es in der Pressemitteilung. Die Produktionslinie werde eine jährliche Produktionsleistung von rund 20 MW haben.

 

HELiAPECVD für maximale Passivierung

Den Schlüssel für die Produktion von hocheffizienten Heterojunction-Solarzellen bilden hochwertige amorphe Siliziumschichten (a-Si). Mit dem Anlagentyp HELiAPECVD können sowohl intrinsische a-Si-Schichten für die Passivierung als auch dotierte Schichten für die Herstellung der elektrischen Strukturen von Heterojunction-Zellen abgeschieden werden.

Die Abscheidung der a-Si-Schichten erfolgt mittels PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) in einem quasi-kontinuierlichen Prozess. Dafür hat Roth & Rau einen speziellen, patentierten Plasmareaktor entwickelt. Dieser garantiere eine homogene Abscheidung von a-Si-Schichten mit ausgezeichneten Passivierungs- und elektrischen Eigenschaften.

 

HELiAPVD ermöglicht Abscheidung von Mehrfachschichten auf der Vorder- und Rückseite

Die Kontaktierung von Heterojunction-Zellen erfolgt beidseitig mittels transparenter, leitfähiger Oxidschichten (TCO), die über die PVD (Physical Vapour Deposition) in einem kontinuierlich laufenden Prozess abgeschieden werden. In der HELiAPVD Sputteranlage können nacheinander verschiedene Kontaktschichten (auch Mehrfachschichten) auf der Vorder- und Rückseite der Wafer abgeschieden werden, wobei zwischen den Beschichtungsprozessen kein Wenden der Wafer erforderlich ist. Durch den Einsatz von zylinderförmigen Sputtermagnetrons werde eine hohe Targetausnutzung von über 85 % erreicht, was einen kosteneffizienten Beschichtungsprozess gewährleiste.

 

18.12.2013 | Quelle: Meyer Burger | solarserver.de © Heindl Server GmbH

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