Solar-Silizium-Projekt von Degussa und SolarWorld liegt im Plan

Der Aufbau der Solarsilizium-Anlage des Joint Ventures der SolarWorld AG (Bonn) mit der Degussa GmbH (Düsseldorf) am Standort Rheinfelden erfolgt planmäßig, berichtet SolarWorld in einer Pressemitteilung. Die Joint Solar Silicon GmbH & Co. KG (JSSI) feierte am 08.08.2007 Richtfest. Bei weiterem planmäßigen Ausbau werde nach der Hochfahrphase der industriellen Produktion im kommenden Jahr eine Jahreskapazität von zunächst 850 Tonnen Solarsilizium erreicht.
„Und mit einer deutlich besseren Energiebilanz durch ein neuartiges Produktionsverfahren“, unterstreicht Dr. Alfred Oberholz, RAG-Vorstand und Degussa-Geschäftsführer. „Gegenüber anderen Verfahren benötigen wir lediglich zehn Prozent der bisher eingesetzten Energien“, so Oberholz weiter. Das Investitionsvolumen bewege sich in der Größenordnung eines zweistelligen Millionenbetrages. „Mit der JSSI bauen wir unsere Aktivitäten in der Rohstoffversorgung konsequent aus“, sagt Dipl.-Ing. Frank H. Asbeck, Vorstandsvorsitzender der SolarWorld AG. „Wir fertigen aus Solarsilizium hauchdünne Wafer, die weiter zu Solarzellen und -modulen verarbeitet werden“, erläutert Asbeck.

Bessere Energiebilanz durch neuartiges Silizium-Verfahren
In der anhaltenden internationalen Nachfrage für Solarstromprodukte sehen Degussa und SolarWorld gute Chancen für die neue Technologie. Sie wurde von JSSI in Zusammenarbeit mit führenden Universitäten entwickelt. Bei dem Verfahren verwandelt zunächst Degussa in Rheinfelden Trichlorsilan in das Zwischenprodukt Monosilan. Daraus stellt die neue Verbundanlage im nächsten Schritt künftig multikristallines Solar-Silizium her, laut SolarWorld der wichtigste Rohstoff für die Solarindustrie. Derzeit werde das Wachstum der Branche noch durch knappe Rohstoffkapazitäten begrenzt. Mit der neuen Anlage sei Joint Solar Silicon seinem Ziel deutlich näher gekommen, die Nachfrage zu befriedigen und der Solarindustrie qualitativ hochwertiges und kostengünstiges Solarsilizium zur Verfügung zu stellen.