1366 Technologies erreicht Solarzellen-Wirkungsgrad von 18 % mit dem „Direct Wafer“-Verfahren

Das Photovoltaik-Unternehmen 1366 Technologies (Bedford, Massachusetts, USA) berichtete am 30.10.2014, es habe mit seinen industriell gefertigten, 156 mm großen multikristallinen Solarzellen einen Wirkungsgrad von 18 % erreicht. Dabei nutzte es das „Direct Wafer“-Verfahren, bei dem die Wafer direkt aus geschmolzenem Silizium hergestellt werden.

Es ermögliche eine Reduzierung der Qualitätsstreuung um 50 % gegenüber herkömmlichen multikristallinen Wafern. Die Wirkungsgrade lägen konstant über 17 %. Dabei müssten Solarzellen-Hersteller nicht einmal in neues Zubehör investieren, betont 1366 Technologies.
Der 18-prozentige Wirkungsgrad wurde mit PERC-Solarzellen erreicht (Rückseitenkontakt-Solarzellen mit passiviertem Emitter), bei herkömmlichen Solarzellen ergaben die Tests immer noch 17,5 %.
“Wir sind ganz besonders stolz auf diese Meilensteine, weil sie nicht nur einzelne Labor-Rekorde sind“, sagte Geschäftsführer Frank van Mierlo.

Direct-Wafer-Verfahren mindert Qualitätsstreuung
Bisher gab es bei der Solarzellen-Fertigung immer einige Produkte mit geringerer Effizienz (unter 16,5 %). Verantwortlich dafür ist die Qualität der Wafer. Hersteller müssen die schlechteren Solarzellen dann wegwerfen oder billig verkaufen, was letztlich höhere Kosten verursacht. Beim Direct-Wafer-Verfahren werden die Wafer kontrolliert einzeln hergestellt, was derartige Qualitätsstreuungen mindert. Damit könnten Zellhersteller bessere Produkte günstiger herstellen, betont1366 Technologies.
“Unsere Lernkurve ist besser, und das Potenzial für höhere Wirkungsgrade steigt, weil unsere Innovationen viel besser sind als Standard-Silizium-Gussverfahren. Wir senken nicht nur die Kosten bei der Waferherstellung erheblich, sondern machen die Wafer auch besser“, so van Mierlo.

1366 Technologies will drei Schmelzöfen in Betrieb nehmen
Das Team von 1366 schafft es, pro Schmelzofen und Jahr Wafer mit über 5 MW herzustellen. Das entspricht der Menge, die im Standard-Ingot-Verfahren produziert wird, allerdings benötigt 1366 nur halb so viel Platz dafür.
Das Unternehmen wolle im ersten Quartal 2015 drei solche Öfen betreiben und anschließend eine Fabrik mit einer jährlichen Produktionsleistung von 250 MW bauen, heißt es in der Pressemitteilung.
Das Direct-Wafer-Verfahren formt multikristalline Wafer direkt aus geschmolzenem Silizium. Herkömmliche Verfahren sind energie- und kapitalintensiv, weil sie mehrere Schritte erfordern. Das Ergebnis seien bessere Wafer, die nur halb so viel kosten, betont 1366 Technologies.

03.11.2014 | Quelle: 1366 Technologies | solarserver.de © EEM Energy & Environment Media GmbH

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